漏源电流和内阻，是判定 MOS 管带载能力的关键指标。 依据公式P=I²R，漏源电流越大，内阻越小，MOS管的带载能力越强。
为保护单片机并优化控制，通常会用反相器隔离单片机和受控元件。反相器既能翻转信号，还能提升控制信号幅值，以便更好驱动后级 MOS 管。
在现代半导体行业中的电力电子控制系统，MOS管（场效应晶体管）因其高效、快速的开关特性，广泛应用于电机驱动、电动工具、家电等设备的电机控制系统中。由于电机驱动通常需要高效的功率控制和调节，因此，电机对MOS管提出了一系列严格的要求，包括耐压能力、导通电阻、开关速度、热管理等方面。本文将详细探讨电机对MOS管的关键要求。
半导体行业的电源设计中，开关变压器（Switching Transformer）和整流二极管（Rectifier Diodes）是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的核心组件。开关变压器通常用于高效地转换电压，而整流二极管则负责将交流信号整流成单向的直流信号。开关变压器后级加整流二极管的设计方案在各种电力转换应用中极为常见，特别是在开关电源（SMPS）、电池充电器和DC-DC转换器等设备中。本文将探讨开关变压器后级加整流二极管的效果及其在电源设计中的重要性。
三极管（晶体管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，其主要功能包括信号放大和开关操作。在使用三极管之前，正确分辨其类型和引脚位置（即基极、集电极和发射极）是至关重要的。
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了；如果MOS管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道），寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。
